IDWD20G120C5XKSA1_TO-247-2L_碳化硅二极管_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：TO-247-2L 类别：碳化硅二极管 最小包装：30/管装 参数1：电流IO:20A 参数2：电压VR:1200V 参数3：压降VF:1.5V 参数4：反向电流IR:200uA 标价：欢迎咨询
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产品介绍
这款碳化硅二极管具有20安培的正向电流（IF），能够承受最高达1200伏特的反向电压（VR），确保了其在高电压环境下的可靠性。该二极管的正向电压降（VF）仅为1.5伏特，在大电流工作条件下能够减少能量损耗。其反向漏电流（IR）为200微安，在非导通状态下有效抑制了不必要的电流流动。瞬态正向浪涌电流（IFSM）最高可达130安培，适用于需要短时间承受电流峰值的应用场合。此元件适合用于需要高效率及稳定性的电路设计中，如开关电源和其他需要高性能整流解决方案的领域。
