IDW20G120C5B_TO-247_碳化硅二极管_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：TO-247 类别：碳化硅二极管 最小包装：30/管装 参数1：电流IO:20A 参数2：电压VR:1200V 参数3：压降VF:1.5V 参数4：反向电流IR:250uA 标价：欢迎咨询
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产品介绍
这款碳化硅二极管提供稳定的电气性能，其连续正向电流（IF/A）可达20A，同时支持最高1200V的反向电压（VR/V）。正向电压降（VF/V）为1.5V，有助于降低能耗。二极管的反向漏电流（IR/uA）控制在250微安，确保在高压环境下工作时的可靠性。瞬态正向浪涌电流（IFSM/A）为71A，适用于需要高耐压和大电流的应用场景，如高性能开关模式电源设计，能够显著提升系统的响应速度和效率。
