IDH10G120C5_TO-220C-2L_碳化硅二极管_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：TO-220C-2L 类别：碳化硅二极管 最小包装：50/管装 参数1：电流IO:10A 参数2：电压VR:1200V 参数3：压降VF:1.35V 参数4：反向电流IR:250uA 标价：欢迎咨询
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产品介绍
这款碳化硅二极管具有卓越的电气性能，其额定正向电流（IF/A）为10A，能够承受高达1200V的反向电压（VR/V）。在正向导通时，仅需1.35V的正向电压（VF/V），表现出优异的能效比。反向漏电流（IR/uA）维持在250微安以下，确保了在高电压下的可靠运行。瞬态峰值电流（IFSM/A）为71A，使其成为高频开关电源的理想选择，有助于提升电子装置的能量转换效率与整体性能稳定性。适用于需要快速开关特性的电路设计中。
