IDH16G65C6_TO-220H-2L_碳化硅二极管_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：TO-220H-2L 类别：碳化硅二极管 最小包装：50/管装 参数1：电流IO:16A 参数2：电压VR:650V 参数3：压降VF:1.3V 参数4：反向电流IR:100uA 标价：欢迎咨询
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产品介绍
这款碳化硅二极管具有出色的电气特性，其最大平均正向电流（IF/A）为16A，在反向电压（VR/V）达到650V的情况下仍能保持稳定性能。该二极管在正向电压（VF/V）仅为1.3V时即可导通，显示出高效的能量转换能力。其反向漏电流（IR/uA）控制在100微安以下，确保了较低的能量损耗。瞬态正向浪涌电流（IFSM/A）可达128A，适用于需要高可靠性及快速开关特性的电路设计中，是高性能电子设备的理想选择。
