IDH20G120C5_TO-220H-2L_碳化硅二极管_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：TO-220H-2L 类别：碳化硅二极管 最小包装：50/管装 参数1：电流IO:20A 参数2：电压VR:1200V 参数3：压降VF:1.5V 参数4：反向电流IR:200uA 标价：欢迎咨询
分享到
产品介绍
该款碳化硅二极管具备20A的正向电流（IF）承载能力，同时支持高达1200V的反向电压（VR），确保了在高压条件下的可靠操作。其正向电压（VF）为1.5V，有助于降低导通时的能耗。二极管的反向漏电流（IR）维持在200微安以下，显示了良好的阻断性能。瞬态正向浪涌电流（IFSM）可承受130A，使得该组件能够在面临瞬间电流冲击的情况下保持稳定。适用于要求快速开关动作和低功耗损耗的电路解决方案中。
