IDH16G65C5_TO-220H-2L_碳化硅二极管_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：TO-220H-2L 类别：碳化硅二极管 最小包装：50/管装 参数1：电流IO:16A 参数2：电压VR:650V 参数3：压降VF:1.3V 参数4：反向电流IR:100uA 标价：欢迎咨询
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产品介绍
这款碳化硅二极管具备16A的最大正向电流（IF/A），可承受高达650V的反向电压（VR/V）。其正向电压（VF/V）为1.3V，确保了高效的能量转换。在反向条件下，漏电流（IR/uA）控制在100微安之内，保证了电路的稳定性。瞬态正向浪涌电流（IFSM/A）达128A，适用于需要快速开关特性和高可靠性的电路设计中，如高性能的开关模式电源及类似应用领域。
