STPSC12065G-TR_TO-263_碳化硅二极管_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：TO-263 类别：碳化硅二极管 最小包装：800/圆盘 参数1：电流IO:12A 参数2：电压VR:650V 参数3：压降VF:1.3V 参数4：反向电流IR:50uA 标价：欢迎咨询
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产品介绍
这款碳化硅二极管提供12A的正向平均电流(IF)和650V的反向电压(VR)，适用于高效能电源设计。其正向电压降(VF)仅为1.3V，有助于降低系统能耗。在标准工作条件下，该二极管的反向漏电流(IR)保持在50μA以下，确保了优异的电气隔离性能。此外，它能够承受90A的非重复峰值浪涌电流(IFSM)，提高了对瞬态过载的防护能力。这些特性使其成为电源转换、逆变器以及需要高效率与可靠性的电子电路的理想选择。
