FFSB10120A_TO-263_碳化硅二极管_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：TO-263 类别：碳化硅二极管 最小包装：800/圆盘 参数1：电流IO:10A 参数2：电压VR:1200V 参数3：压降VF:1.4V 参数4：反向电流IR:100uA 标价：欢迎咨询
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产品介绍
该款碳化硅二极管拥有10安培的正向电流（IF/A）承载能力，以及高达1200伏特的反向耐压值（VR/V），适用于需要高电压稳定性的电路设计。其正向电压降（VF/V）为1.4伏特，有助于提升系统效率。在反向状态下，该二极管的漏电流（IR/uA）不大于100微安，显示了良好的阻断性能。此外，其瞬态正向浪涌电流（IFSM/A）可以达到90安培，适合应用于需要承受短时电流冲击的场合，如高性能电源管理解决方案或精密控制电路中。
