IDH08G65C6_TO-220H-2L_碳化硅二极管_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：TO-220H-2L 类别：碳化硅二极管 最小包装：50/管装 参数1：电流IO:8A 参数2：电压VR:650V 参数3：压降VF:1.3V 参数4：反向电流IR:50uA 标价：欢迎咨询
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产品介绍
这款碳化硅二极管的正向电流额定值为8A（IF/A），可承受的最大反向电压为650V（VR/V）。其正向电压降仅为1.3V（VF/V），有助于减少能量损耗。在反向测试条件下，漏电流不超过50μA（IR/uA）。此外，该二极管能够处理高达64A的瞬态正向浪涌电流（IFSM/A）。这些特性使其成为高频开关电路和高性能能量转换解决方案的理想选择。
