C6D10065E_TO-252-2L_碳化硅二极管_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：TO-252-2L 类别：碳化硅二极管 最小包装：2500/圆盘 参数1：电流IO:10A 参数2：电压VR:650V 参数3：压降VF:1.3V 参数4：反向电流IR:50uA 标价：欢迎咨询
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产品介绍
这款碳化硅二极管具有10安培的最大正向电流（IF/A），并且能够承受650伏特的最高反向电压（VR/V）。其正向电压降（VF/V）为1.3伏特，有助于在导通期间保持低能耗。在反向偏置条件下，漏电流（IR/uA）维持在50微安水平，确保了高阻断性能。此外，该二极管支持高达80安培的瞬态浪涌电流（IFSM/A），增强了其应对短时电流尖峰的能力。这些特点使其成为高频开关电源和逆变技术等要求严苛应用的理想选择，适用于追求高性能与可靠性的电子设计方案。
