C4D05120E_TO-252-2L_碳化硅二极管_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：TO-252-2L 类别：碳化硅二极管 最小包装：2500/圆盘 参数1：电流IO:5A 参数2：电压VR:1200V 参数3：压降VF:1.4V 参数4：反向电流IR:100uA 标价：欢迎咨询
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产品介绍
这款碳化硅二极管具有5A的正向电流（IF/A），能够承受最高达1200V的反向电压（VR/V），确保了其在高电压环境下的可靠性。该二极管的正向电压降（VF/V）仅为1.4V，在保证高效能的同时减少了能量损耗。其反向漏电流（IR/uA）控制在100微安以内，显示出良好的阻断性能。此外，瞬态正向浪涌电流（IFSM/A）可达45A，表明该二极管能够在短时间内处理较大的电流波动，适用于需要高效率及高可靠性的电路设计中。
