C4D02120E_TO-252-2L_碳化硅二极管_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：TO-252-2L 类别：碳化硅二极管 最小包装：2500/圆盘 参数1：电流IO:2A 参数2：电压VR:1200V 参数3：压降VF:1.4V 参数4：反向电流IR:8uA 标价：欢迎咨询
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产品介绍
此款碳化硅二极管具备2A的正向电流（IF/A），可承受高达1200V的反向电压（VR/V），适用于需要高电压稳定性的电子设备。其正向电压（VF/V）为1.4V，有助于减少能量损失，提高系统效率。该二极管的反向漏电流（IR/uA）仅为8微安，展示出优异的隔离特性。同时，它能够承受最高24A的瞬态正向浪涌电流（IFSM/A），增强了在复杂电路条件下的可靠性与耐用性，是追求高性能应用的理想选择。
