NXPSC10650B6J_TO-263_碳化硅二极管_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：TO-263 类别：碳化硅二极管 最小包装：800/圆盘 参数1：电流IO:10A 参数2：电压VR:650V 参数3：压降VF:1.3V 参数4：反向电流IR:50uA 标价：欢迎咨询
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产品介绍
此款碳化硅二极管具备10A的正向电流能力（IF），同时支持最大650V的反向电压（VR）。其正向电压（VF）为1.3V，有助于减少能量损耗。该二极管在反向偏置时，反向漏电流（IR）控制在50微安以内，体现了出色的绝缘性能。其峰值正向浪涌电流（IFSM）可达80A，适用于要求严苛的高频开关与电源转换应用中，提供稳定且高效的性能表现。
