NXPSC20650W6Q_TO-247_碳化硅二极管_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：TO-247 类别：碳化硅二极管 最小包装：30/管装 参数1：电流IO:20A 参数2：电压VR:650V 参数3：压降VF:1.3V 参数4：反向电流IR:40uA 标价：欢迎咨询
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产品介绍
此款碳化硅二极管具有20A的最大平均正向电流（IF/A），适用于要求严苛的电流处理需求。其额定反向电压（VR/V）为650V，确保了在高压环境下的可靠性。正向电压降（VF/V）为1.3V，有助于减少导通损耗，提高整体效率。反向漏电流（IR/uA）控制在40微安水平，表明其拥有良好的绝缘性能。此外，瞬态正向浪涌电流（IFSM/A）可达到150A，使其成为高频切换及需耐受瞬间大电流场合的理想选择，适用于追求高效能与稳定性的电子设计中。
