C6D06065A_TO-220H-2L_碳化硅二极管_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：TO-220H-2L 类别：碳化硅二极管 最小包装：50/管装 参数1：电流IO:6A 参数2：电压VR:650V 参数3：压降VF:1.3V 参数4：反向电流IR:50uA 标价：欢迎咨询
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产品介绍
这款碳化硅二极管具有6安培的平均正向电流（IF/A），能够承受高达650伏特的反向电压（VR/V）。其正向电压降（VF/V）仅为1.3伏特，在反向偏压下，漏电流（IR/uA）控制在50微安。此二极管瞬态电流能力（IFSM/A）可达48安培，适用于高频开关电源及需要高效能转换的应用中，能够在高功率密度要求下保持低能耗特性。
