C6D04065A_TO-220H-2L_碳化硅二极管_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：TO-220H-2L 类别：碳化硅二极管 最小包装：50/管装 参数1：电流IO:4A 参数2：电压VR:650V 参数3：压降VF:1.3V 参数4：反向电流IR:50uA 标价：欢迎咨询
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产品介绍
这款碳化硅二极管具备4安培的正向电流（IF/A）承载能力，同时能够承受最大650伏特的反向电压（VR/V）。其正向电压（VF/V）为1.3伏特，确保了高效的能量转换效率。在反向应用中，该二极管的漏电流（IR/uA）不超过50微安，表明其具有良好的阻断性能。瞬态峰值电流（IFSM/A）为23安培，使其成为高频开关应用中的理想选择，特别适合于需要快速开关且维持低功耗操作的场合。
