NXPSC12650B6J_TO-263_碳化硅二极管_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：TO-263 类别：碳化硅二极管 最小包装：800/圆盘 参数1：电流IO:12A 参数2：电压VR:650V 参数3：压降VF:1.3V 参数4：反向电流IR:50uA 标价：欢迎咨询
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产品介绍
这款碳化硅二极管具有12A的正向电流（IF），能够在高达650V的反向电压（VR）下正常工作。其正向电压降（VF）仅为1.3V，在保证性能的同时减少了能量损耗。该二极管的反向漏电流（IR）为50微安，在较高温度下仍能保持较低的漏电水平。瞬态正向浪涌电流（IFSM）可达90A，适合需要处理短时大电流的应用场景。这些特性使得此款二极管在需要高效能与可靠性的电路设计中成为理想选择。
