GD02MPS12E_TO-252-2L_碳化硅二极管_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：TO-252-2L 类别：碳化硅二极管 最小包装：2500/圆盘 参数1：电流IO:2A 参数2：电压VR:1200V 参数3：压降VF:1.35V 参数4：反向电流IR:8uA 标价：欢迎咨询
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产品介绍
碳化硅二极管是一款高性能的半导体器件，具有2安培的正向电流（IF）承载能力，以及高达1200伏特的反向重复峰值电压（VR），确保在高电压条件下稳定工作。其正向电压降（VF）为1.35伏特，在保证高效导电的同时降低了能量损耗。此器件拥有极低的8微安反向漏电流（IR），体现了出色的绝缘特性。此外，它能够承受24安培的瞬时峰值正向电流（IFSM），增强了应对突发状况的能力。适用于需要紧凑设计与高效率电力转换的场合，如电源供应器、再生能源系统和精密电子设备中的电路保护和能量管理。
