IDH15S120A_TO-220C-2L_碳化硅二极管_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：TO-220C-2L 类别：碳化硅二极管 最小包装：50/管装 参数1：电流IO:15A 参数2：电压VR:1200V 参数3：压降VF:1.27V 参数4：反向电流IR:200uA 标价：欢迎咨询
分享到
产品介绍
此款碳化硅二极管具备15安培的正向电流（IF/A），可承受高达1200伏特的反向电压（VR/V）。其正向电压（VF/V）为1.27伏特，有助于减少电力损耗，提升系统效率。该二极管的反向漏电流（IR/uA）为200微安，表明其在阻断状态下的优异表现。瞬态正向浪涌电流（IFSM/A）为100安培，能够在短时间内处理较大的电流波动。这些特性使其非常适合应用于需要高频切换与可靠性能的电路配置中。
