IDM02G120C5_TO-252-2L_碳化硅二极管_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：TO-252-2L 类别：碳化硅二极管 最小包装：2500/圆盘 参数1：电流IO:2A 参数2：电压VR:1200V 参数3：压降VF:1.4V 参数4：反向电流IR:8uA 标价：欢迎咨询
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产品介绍
这款碳化硅二极管具有2A的正向电流（IF），并支持高达1200V的反向电压（VR），适用于需要高电压隔离的应用。其正向电压（VF）为1.4V，有效降低了导通时的能量损失。反向漏电流（IR）仅为8微安，在确保低功耗的同时提供了优异的绝缘性能。瞬态正向电流能力（IFSM）为24A，使其能够在遭遇短暂电流波动时依然保持稳定。这些特点使得该二极管在高电压、小封装尺寸且需低能耗的解决方案中尤为适用。
