IDW40G65C5BXKSA2_TO-247_碳化硅二极管_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：TO-247 类别：碳化硅二极管 最小包装：30/管装 参数1：电流IO:40A 参数2：电压VR:650V 参数3：压降VF:1.35V 参数4：反向电流IR:40uA 标价：欢迎咨询
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产品介绍
本款碳化硅二极管具有优异的电性能和稳定性，适用于高效率电力转换系统。其最大正向电流（IF）为40A，反向耐压（VR）达650V，具备良好的高压承载能力。导通时正向压降（VF）为1.35V，有助于减少能量损耗。在反向阻断状态下，漏电流（IR）低至40μA，表现出色的绝缘特性。器件还可承受最高300A的非重复浪涌电流（IFSM），适应复杂工况下的瞬态冲击。适用于电源变换器、新能源装置及高性能电子设备中。
