IDM10G120C5XTMA1_TO-252-2L_碳化硅二极管_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：TO-252-2L 类别：碳化硅二极管 最小包装：2500/圆盘 参数1：电流IO:10A 参数2：电压VR:1200V 参数3：压降VF:1.4V 参数4：反向电流IR:100uA 标价：欢迎咨询
分享到
产品介绍
这款碳化硅二极管具有10安培的正向电流（IF/A），能够承受高达1200伏特的反向电压（VR/V），确保了在高电压环境下的可靠性。其正向电压降（VF/V）仅为1.4伏特，在大电流下也能保持较低的能量损耗。该二极管的反向漏电流（IR/uA）控制在100微安，显示了良好的阻断性能。此外，瞬态正向浪涌电流（IFSM/A）可达90安培，适用于需要瞬间处理较大电流的应用场合。这些特性使得此二极管在要求严苛的电路设计中表现优异。
