IDH20G120C5XKSA1_TO-220H-2L_碳化硅二极管_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：TO-220H-2L 类别：碳化硅二极管 最小包装：50/管装 参数1：电流IO:20A 参数2：电压VR:1200V 参数3：压降VF:1.5V 参数4：反向电流IR:200uA 标价：欢迎咨询
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产品介绍
这款碳化硅二极管具备出色的电气特性，正向电流IF为20A，反向电压VR达到1200V，确保了在高压环境下的稳定工作。其正向压降VF仅为1.5V，有助于减少功率损耗；反向漏电流IR控制在200μA以内，保证了设备的低功耗性能。此外，单周期浪涌电流IFSM高达130A，增强了产品应对瞬时大电流冲击的能力。该器件适用于要求高效率、高温及高频工作的电子电路中，如电源转换器等场合。
