IDH20G65C5XKSA2_TO-220C-2L_碳化硅二极管_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：TO-220C-2L 类别：碳化硅二极管 最小包装：50/管装 参数1：电流IO:20A 参数2：电压VR:650V 参数3：压降VF:1.5V 参数4：反向电流IR:100uA 标价：欢迎咨询
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产品介绍
此款碳化硅二极管提供20安培的正向电流（IF），并支持最高650伏特的反向电压（VR），适用于需要处理较高电压的应用场景。其正向电压降（VF）为1.5伏特，有助于减少能量损失。在反向偏置条件下，漏电流（IR）维持在100微安水平，显示了良好的阻隔能力。此外，该二极管可以承受高达123安培的瞬时正向浪涌电流（IFSM），增强了在非稳态条件下的耐用性。这些技术规格使其成为高频开关和其他需要快速响应与低损耗电子装置的理想组件。
