NXPSC166506Q_TO-220H-2L_碳化硅二极管_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：TO-220H-2L 类别：碳化硅二极管 最小包装：50/管装 参数1：电流IO:16A 参数2：电压VR:650V 参数3：压降VF:1.3V 参数4：反向电流IR:100uA 标价：欢迎咨询
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产品介绍
这款碳化硅二极管具备出色的电气特性，其最大平均正向电流（IF）可达16A，在反向电压（VR）为650V的情况下能够确保电路的安全运行。该二极管在正向导通时电压降（VF）仅为1.3V，有助于减少能量损耗。在温度升高时，其反向漏电流（IR）被限制在100μA以内，保证了在不同环境下的稳定性。瞬态正向浪涌电流（IFSM）最高支持128A，使得它能够在承受短时过载的情况下正常工作。这些特性使其适用于高频开关电源、逆变器以及其他需要高效能转换的应用中。
