STPSC12065G2-TR_TO-263_碳化硅二极管_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：TO-263 类别：碳化硅二极管 最小包装：800/圆盘 参数1：电流IO:12A 参数2：电压VR:650V 参数3：压降VF:1.3V 参数4：反向电流IR:50uA 标价：欢迎咨询
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产品介绍
该款碳化硅二极管提供12安培的最大正向电流（IF），并且能够承受高达650伏特的反向电压（VR）。其正向电压（VF）为1.3伏特，有助于减少导通时的功率损失。在反向偏压下，漏电流（IR）维持在50微安以下，表明其拥有较好的绝缘特性。瞬态正向最大电流（IFSM）可达90安培，表明它能够在短时间内处理较大的电流波动。这些特性使其成为高频开关及需要坚固耐用性能的电路设计中的理想选择。
