WNSC2D30650CWQ_TO-247_碳化硅二极管_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：TO-247 类别：碳化硅二极管 最小包装：30/管装 参数1：电流IO:32A 参数2：电压VR:650V 参数3：压降VF:1.3V 参数4：反向电流IR:100uA 标价：欢迎咨询
分享到
产品介绍
这款碳化硅二极管拥有32安培的正向电流能力（IF/A），适用于要求高电流通过的应用。其设计支持650伏特的反向电压（VR/V），确保了在高压条件下的可靠性。正向电压降（VF/V）为1.3伏特，有助于减少电力损耗并提升效率。在反向状态下，漏电流（IR/uA）为100微安，显示了较好的绝缘性能。此外，该二极管可以承受最高250安培的瞬时正向浪涌电流（IFSM/A），增强了在复杂环境中的稳定性与安全性。
