STPSC5H12B-TR1_TO-252-2L_碳化硅二极管_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：TO-252-2L 类别：碳化硅二极管 最小包装：2500/圆盘 参数1：电流IO:5A 参数2：电压VR:1200V 参数3：压降VF:1.4V 参数4：反向电流IR:100uA 标价：欢迎咨询
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产品介绍
这款碳化硅二极管具有5A的正向电流（IF）能力，可在大电流应用中保持高效运行，同时拥有1200V的反向击穿电压（VR），适合应用于高电压要求的场合。其正向电压降（VF）为1.4V，有助于降低能耗。反向漏电流（IR）为100微安，在非导通期间功耗极低。瞬态正向浪涌电流（IFSM）达到45A，表明它可以应对短暂的电流峰值冲击。这些特性使其成为追求低功耗与高可靠性的高频开关和其他精密电路设计的理想选择。
