SCS306AHGC9_TO-220H-2L_碳化硅二极管_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：TO-220H-2L 类别：碳化硅二极管 最小包装：50/管装 参数1：电流IO:6A 参数2：电压VR:650V 参数3：压降VF:1.3V 参数4：反向电流IR:50uA 标价：欢迎咨询
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产品介绍
这款碳化硅二极管具有6安培的正向电流（IF/A）和650伏特的反向击穿电压（VR/V），能够在高功率密度应用中提供稳定的性能。其正向压降（VF/V）仅为1.3伏特，在大电流工作条件下可显著减少功耗。反向漏电流（IR/uA）在室温下不超过50微安，体现了优异的阻断能力。此外，该二极管的最大瞬态正向电流（IFSM/A）可达48安培，适用于需要快速响应及高可靠性的电路设计中，确保了在动态负载条件下的稳健工作。
