IDW10G120C5B_TO-247_碳化硅二极管_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：TO-247 类别：碳化硅二极管 最小包装：30/管装 参数1：电流IO:10A 参数2：电压VR:1200V 参数3：压降VF:1.4V 参数4：反向电流IR:150uA 标价：欢迎咨询
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产品介绍
这款碳化硅二极管具有10安培的正向电流（IF/A），能够在高达1200伏特的反向电压（VR/V）下稳定工作。其较低的正向电压降（VF/V）仅为1.4伏特，在确保效率的同时减少了能量损耗。该二极管在反向偏置条件下展示出良好的绝缘性能，漏电流（IR/uA）不超过150微安。此外，瞬态条件下，最大正向浪涌电流（IFSM/A）可达46安培，表明了其在承受短时过载电流方面的能力。这些特性使得此元件适用于需要高效率及可靠性的多种电路设计中。
