US1G-E3/61T_SMA_快恢复/高效率二极管_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：SMA 类别：快恢复/高效率二极管 最小包装：2000/圆盘 参数1：电流IO:1A 参数2：电压VR:400V 参数3：压降VF:1.3V 参数4：反向电流IR:5uA 标价：欢迎咨询
分享到
产品介绍
这款快恢复二极管具有1A的正向电流（IF）承载能力，以及400V的最大反向电压（VR），适用于多种高频电路中。其正向电压降（VF）为1.3V，有效降低导通时的功耗。在反向状态下，漏电流（IR）不超过5µA，确保了较低的能量损失。瞬态条件下，该二极管可以承受高达30A的正向浪涌电流（IFSM），增强了其应对突发大电流的能力。这些特性使它成为需要快速开关及高效率性能的电路设计中的优选元件。
