ES1D-E3/5AT_SMA_快恢复/高效率二极管_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：SMA 类别：快恢复/高效率二极管 最小包装：2000/圆盘 参数1：电流IO:1A 参数2：电压VR:200V 参数3：压降VF:0.95V 参数4：反向电流IR:5uA 标价：欢迎咨询
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产品介绍
这款快恢复二极管具有高效率特性，其最大平均正向电流（IF）为1安培，能够承受最高反向电压（VR）达到200伏特。在正向导通状态下的电压降（VF）仅为0.95伏特，这有助于减少能量损耗。该二极管的反向漏电流（IR）控制在微安级别，具体为5微安，在瞬态大电流（IFSM）情况下可承受高达30安培的峰值。这些特性使其非常适合用于高频开关电源以及需要高效能整流的应用中。
