ES1D-M3/61T_SMA_快恢复/高效率二极管_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：SMA 类别：快恢复/高效率二极管 最小包装：2000/圆盘 参数1：电流IO:1A 参数2：电压VR:200V 参数3：压降VF:0.95V 参数4：反向电流IR:5uA 标价：欢迎咨询
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产品介绍
这款快恢复/高效率二极管具有1A的正向电流（If），能够在电路中顺畅地导通大电流。其反向恢复时间短，有助于提高转换效率，适用于开关电源等高频应用场合。该二极管拥有200V的最大反向电压（Vr），保证了在高压环境下的稳定性。正向压降（Vf）仅为0.95V，在导通状态下能有效减少能量损耗。反向漏电流（Ir）小于5μA，在非导通状态能显著降低漏电损失。瞬态峰值电流（Ifsm）达到30A，可应对短时间内电流急剧变化的情况。这些特性使其成为日常电子设备中不可或缺的组件。
