US1GHE3_A/H_SMA_快恢复/高效率二极管_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：SMA 类别：快恢复/高效率二极管 最小包装：2000/圆盘 参数1：电流IO:1A 参数2：电压VR:400V 参数3：压降VF:1.3V 参数4：反向电流IR:5uA 标价：欢迎咨询
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产品介绍
这款快恢复/高效率二极管具有1A的正向电流（IF）承载能力，以及400V的反向电压（VR）耐受性，适用于多种高压应用。其正向电压降（VF）低至1.3V，有助于降低能耗，提升系统效率。反向漏电流（IR）限制在5μA，确保了在非导通状态下几乎无电流损耗。瞬时正向峰值电流（IFSM）达到30A，能够应对短时电流高峰。该二极管适用于高频开关电源、整流电路以及其他需要高效能快速切换的应用中。
