HSTPSC10H065D_TO-220C-2L_碳化硅二极管_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：TO-220C-2L 类别：碳化硅二极管 最小包装：50/管装 参数1：电流IO:10A 参数2：电压VR:650V 参数3：压降VF:1.5V 参数4：反向电流IR:60uA 标价：欢迎咨询
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产品介绍
这款碳化硅二极管具备卓越的电气特性，其最大平均正向电流（IF/A）可达10安培，在反向电压（VR/V）为650伏特的情况下表现出色。该二极管在正向导通时的电压降（VF/V）仅为1.5伏特，有助于减少能量损耗。其反向漏电流（IR/uA）控制在60微安级别，显示了良好的阻断性能。瞬态正向浪涌电流（IFSM/A）最高可承受90安培，适用于需要高可靠性和快速开关特性的场合。这些特点使得该二极管成为高性能电路设计中的理想选择。
