HIDWD40G120C5_TO-247-2L_碳化硅二极管_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：TO-247-2L 类别：碳化硅二极管 最小包装：30/管装 参数1：电流IO:40A 参数2：电压VR:1200V 参数3：压降VF:1.5V 参数4：反向电流IR:300uA 标价：欢迎咨询
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产品介绍
该碳化硅二极管拥有40安培的正向电流（IF/A）承载能力，以及1200伏特的反向电压（VR/V）耐受度，适用于高电压和大电流需求的应用场景。其正向电压降（VF/V）为1.5伏特，有助于降低工作时的能耗。在反向偏置条件下，漏电流（IR/uA）为300微安，表明其具有较好的阻断特性。此外，该二极管能够承受瞬间高达161安培的正向浪涌电流（IFSM/A），提升了其在非稳态条件下的可靠性和鲁棒性。因此，这种二极管非常适合应用于需要快速开关和高效率的电源转换器等场合。
