HNVDSH20120C_TO-247-2L_碳化硅二极管_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：TO-247-2L 类别：碳化硅二极管 最小包装：30/管装 参数1：电流IO:20A 参数2：电压VR:1200V 参数3：压降VF:1.5V 参数4：反向电流IR:200uA 标价：欢迎咨询
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产品介绍
这款碳化硅二极管具备优异的电气特性，其连续正向电流（IF/A）可达20A，同时支持最高1200V的反向电压（VR/V）。在正向电压（VF/V）为1.5V时，器件表现出低导通损耗的特点。反向漏电流（IR/uA）控制在200微安，显示了良好的隔离性能。此外，该二极管能够承受高达130A的瞬间正向浪涌电流（IFSM/A），适用于需要高频开关操作的应用场景，能够有效增强电路的动态响应及稳定性。
