HSTPSC10H065GTR_TO-263_碳化硅二极管_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：TO-263 类别：碳化硅二极管 最小包装：800/圆盘 参数1：电流IO:10A 参数2：电压VR:650V 参数3：压降VF:1.3V 参数4：反向电流IR:50uA 标价：欢迎咨询
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产品介绍
这款碳化硅二极管具有10A的正向电流（IF/A），能够在确保效率的同时处理较大的电流。其反向击穿电压（VR/V）为650V，提供了可靠的耐压性能，适用于需要高电压稳定性的电路设计。该二极管的正向电压降（VF/V）仅为1.3V，在大电流工作条件下能有效降低能量损耗。此外，它拥有50微安的反向漏电流（IR/uA），表明即使在反向偏置下也有较低的漏电，增强了整体的稳定性。瞬态状态下的最大正向电流（IFSM/A）可以达到80A，使得该二极管能够承受短时过载而不损坏。这些特性使其成为高性能电源管理解决方案中的理想选择。
