HTRS4E65FS1Q_TO-220H-2L_碳化硅二极管_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：TO-220H-2L 类别：碳化硅二极管 最小包装：50/管装 参数1：电流IO:4A 参数2：电压VR:650V 参数3：压降VF:1.3V 参数4：反向电流IR:50uA 标价：欢迎咨询
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产品介绍
这款碳化硅二极管具备4安培的正向电流（IF/A），可承受高达650伏特的反向电压（VR/V）。其正向压降（VF/V）为1.3伏特，有助于减少能耗。二极管的反向漏电流（IR/uA）维持在50微安水平，体现了较好的绝缘特性。瞬态正向浪涌电流（IFSM/A）达到23安培，意味着它可以应对瞬时电流峰值。适用于高频开关电源、逆变器以及其他需要紧凑尺寸与高性能表现的应用中。
