HFFSD1065A_TO-252-2L_碳化硅二极管_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：TO-252-2L 类别：碳化硅二极管 最小包装：2500/圆盘 参数1：电流IO:10A 参数2：电压VR:650V 参数3：压降VF:1.3V 参数4：反向电流IR:50uA 标价：欢迎咨询
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产品介绍
此款碳化硅二极管设计有10安培的最大正向电流（IF/A），以及650伏特的反向重复峰值电压（VR/V），适用于要求严苛的高压应用。其正向电压降（VF/V）为1.3伏特，有效减少导通时的功耗。二极管在反向偏置时，反向漏电流（IR/uA）为50微安，表现出良好的隔离性能。该元件还支持高达80安培的瞬时正向浪涌电流（IFSM/A），增强了在突发高电流条件下的可靠性。鉴于其高性能指标，此类二极管是构建高效能开关模式电源供应器及电源转换模块的理想选择，有助于增强系统稳定性并优化能耗。
