HFFSD0665BF085_TO-252-2L_碳化硅二极管_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：TO-252-2L 类别：碳化硅二极管 最小包装：2500/圆盘 参数1：电流IO:6A 参数2：电压VR:650V 参数3：压降VF:1.3V 参数4：反向电流IR:50uA 标价：欢迎咨询
分享到
产品介绍
这款碳化硅二极管具备6A的正向电流（IF/A）承载能力，同时支持高达650V的反向电压（VR/V），使其适用于高电压要求的电路设计。它拥有低至1.3V的正向压降（VF/V），有助于减少能量损耗。该二极管的反向漏电流（IR/uA）不超过50微安，表现出优秀的隔离性能。瞬态正向浪涌电流（IFSM/A）最高可达48A，表明它能够处理瞬间的大电流事件。这些特性使得该元件非常适合用于需要高性能与可靠性的开关电源以及其他对效率要求较高的电子设备中。
