HFFSP1065B_TO-220C-2L_碳化硅二极管_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：TO-220C-2L 类别：碳化硅二极管 最小包装：50/管装 参数1：电流IO:10A 参数2：电压VR:650V 参数3：压降VF:1.5V 参数4：反向电流IR:60uA 标价：欢迎咨询
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产品介绍
此款碳化硅二极管具备10安培的正向电流（IF/A），可承受最高650伏特的反向电压（VR/V）。其正向电压（VF/V）为1.5伏特，有效降低了导通时的功耗。反向漏电流（IR/uA）控制在60微安，体现了良好的阻断特性。同时，该二极管能够承受高达90安培的瞬态峰值电流（IFSM/A），增强了在复杂环境中的可靠性。适用于高频开关及电源管理等精密电路设计中，提供稳定的表现。
