HIDW40G120C5B_TO-247_碳化硅二极管_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：TO-247 类别：碳化硅二极管 最小包装：30/管装 参数1：电流IO:40A 参数2：电压VR:1200V 参数3：压降VF:1.5V 参数4：反向电流IR:200uA 标价：欢迎咨询
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产品介绍
这款碳化硅二极管拥有40安培的正向电流（IF）承载能力，以及1200伏特的反向击穿电压（VR），表明其可以在高压和大电流条件下可靠运作。其正向电压降（VF）为1.5伏特，有助于减少能量损耗，提高系统的整体效率。反向漏电流（IR）控制在200微安，这保证了在非导通状态下的低能耗特性。瞬态正向电流（IFSM）可达130安培，意味着它可以在短时间内处理电流尖峰。这些特性使得该二极管非常适合应用于需要高性能整流和高效率转换的电路设计中。
