HIDK12G65C5_TO-263_碳化硅二极管_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：TO-263 类别：碳化硅二极管 最小包装：800/圆盘 参数1：电流IO:12A 参数2：电压VR:650V 参数3：压降VF:1.3V 参数4：反向电流IR:50uA 标价：欢迎咨询
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产品介绍
此款碳化硅二极管具备12安培的正向电流（IF/A），可承受高达650伏特的反向电压（VR/V）。其正向电压（VF/V）为1.3伏特，在确保高效能的同时降低了功耗。反向漏电流（IR/uA）为50微安，体现了优异的绝缘特性。该二极管支持高达90安培的峰值瞬态电流（IFSM/A），适用于需要快速开关及稳定整流性能的应用场合，能有效提升系统的整体效率与可靠性。
