HSTPSC10H12GTR_TO-263_碳化硅二极管_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：TO-263 类别：碳化硅二极管 最小包装：800/圆盘 参数1：电流IO:10A 参数2：电压VR:1200V 参数3：压降VF:1.4V 参数4：反向电流IR:100uA 标价：欢迎咨询
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产品介绍
这款碳化硅二极管具有10安培的正向电流（IF/A），并且能够在高达1200伏特的反向电压（VR/V）下正常工作。其正向电压降（VF/V）仅为1.4伏特，在确保高效能的同时，也减少了能量损耗。该二极管还拥有100微安的反向漏电流（IR/uA），表明其在阻断状态下的性能优异。此外，瞬态峰值电流（IFSM/A）可达90安培，意味着它能够承受瞬间的电流冲击而不损坏，适用于需要高可靠性的电路设计中。
