HTRS8E65FS1Q_TO-220H-2L_碳化硅二极管_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：TO-220H-2L 类别：碳化硅二极管 最小包装：50/管装 参数1：电流IO:8A 参数2：电压VR:650V 参数3：压降VF:1.3V 参数4：反向电流IR:50uA 标价：欢迎咨询
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产品介绍
这款碳化硅二极管设计有8安培的最大正向电流（IF/A），可承受最高650伏特的反向电压（VR/V）。其正向电压（VF/V）为1.3伏特，在反向应用时，其漏电流（IR/uA）限制在50微安。瞬态峰值电流（IFSM/A）可以达到64安培。这些特性使其非常适合应用于要求高效率与低能耗的高频开关电路及类似电子装置中，有助于提升系统的整体性能并保证稳定性。
