HSTPSC6H065D_TO-220H-2L_碳化硅二极管_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：TO-220H-2L 类别：碳化硅二极管 最小包装：50/管装 参数1：电流IO:6A 参数2：电压VR:650V 参数3：压降VF:1.3V 参数4：反向电流IR:50uA 标价：欢迎咨询
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产品介绍
这款碳化硅二极管具有6A的正向电流（IF），并且能够承受650V的最大反向电压（VR），适合用于需要耐受较高电压的应用中。其正向电压（VF）为1.3V，有助于在导通状态下减少能量损失。反向漏电流（IR）限制在50微安，体现了良好的绝缘特性。瞬态正向浪涌电流（IFSM）为48A，使其可以在短时间内应对电流峰值。该二极管适用于追求高效能与可靠性的电路设计。
