HSCS210KNHRTRL_TO-263_碳化硅二极管_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：TO-263 类别：碳化硅二极管 最小包装：800/圆盘 参数1：电流IO:10A 参数2：电压VR:1200V 参数3：压降VF:1.4V 参数4：反向电流IR:100uA 标价：欢迎咨询
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产品介绍
这款碳化硅二极管具备10A的正向平均电流(IF)和高达1200V的反向电压(VR)，适用于高电压环境。其正向电压(VF)为1.4V，有助于保持较低的导通损耗。该器件拥有100μA的反向漏电流(IR)，确保了良好的电性能。最大浪涌电流(IFSM)可达90A，提高了应对瞬态大电流的能力。这些特性使其成为电源转换、逆变器以及其他需要高效能与稳定性的电子设备的理想选择。
