HFFSB1065B_TO-263_碳化硅二极管_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：TO-263 类别：碳化硅二极管 最小包装：800/圆盘 参数1：电流IO:10A 参数2：电压VR:650V 参数3：压降VF:1.3V 参数4：反向电流IR:50uA 标价：欢迎咨询
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产品介绍
这款碳化硅二极管具有10A的正向电流（IF/A），能够承受最高650V的反向电压（VR/V）。其正向电压降（VF/V）仅为1.3V，在反向偏置条件下，漏电流（IR/uA）不超过50微安。此外，该二极管瞬态正向浪涌电流（IFSM/A）可达80A，在高频开关电源和其他需要高效能与高可靠性的电路中，可以提供卓越的性能表现。
