HSTPSC8H065D_TO-220H-2L_碳化硅二极管_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：TO-220H-2L 类别：碳化硅二极管 最小包装：50/管装 参数1：电流IO:8A 参数2：电压VR:650V 参数3：压降VF:1.3V 参数4：反向电流IR:50uA 标价：欢迎咨询
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产品介绍
这款碳化硅二极管拥有8安培的正向电流能力（IF/A），并能承受650伏特的最大反向电压（VR/V）。其正向电压降（VF/V）为1.3伏特，有助于减少能量损失。在反向偏置条件下，其漏电流（IR/uA）保持在50微安以下，表明了出色的隔离性能。此外，该二极管支持最高64安培（IFSM/A）的瞬间正向浪涌电流，适合应用于要求快速开关动作和高能效转换的场合，如高性能电源模块或消费电子产品的功率管理单元。
